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    特羅半導體

    特羅半導體:成立于2011年1月,是射頻(RF)和電源管理應用硅上氮化鎵(GaN-on-Si)半導體技術的先驅。先進的專有技術和設備以高昂的價格顯著降低了系統解決方案的復雜性、尺寸、重量和功耗,與Silicon解決方案相比,功率轉換性能顯著提高。特羅半導體是一家無晶圓廠半導體公司總部位于美國芝加哥,在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。特羅半導體的研發團隊致力于開發利用寬帶隙技術的顛覆性解決方案,幫助客戶解決射頻和電源設計挑戰,并加快從5G蜂窩基礎設施到消費者、汽車、國防和安全等廣泛應用的上市時間。特羅半導體與領先的半導體鑄造廠和組裝廠合作,提供優質和久經考驗的產品。主要產品:功率放大器;射頻開關;GaN晶體管低噪放大器線性驅動器;增益模塊;GaN功率晶體管。型號:TS8021N;TS8423K1;TS8728N;TS8729N;TS86436P。


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